長晶爐監診
異常振動導致長晶過程異常?
FAB端晶圓Wafer是半導體製造積體電路中，最重要的材料。如何監診長晶爐?預防長晶爐的異常抖動造成晶種生成的不良現象。
FAB端晶圓Wafer是半導體製造積體電路中，最重要的材料。如何監診長晶爐?預防長晶爐的異常抖動造成晶種生成的不良現象。
#半導體領域
#轉子馬達
#PHM
#預知保養
晶圓Wafer是半導體製造積體電路中，最重要的材料。影響晶種生成品質因素很多，單晶矽圓片由普通矽砂拉製柴可拉斯基法將此多晶矽熔解，再於溶液內摻入一小粒的矽晶體晶種，然後將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶矽晶棒，由於矽晶棒是由一顆小晶粒在融熔態的矽原料中逐漸生成，此過程稱為「長晶」。而在長晶的過程中，若是有異常振動，容易造成純度不良、雜質分佈不平均、生長異常等。
調查重點 找出液面抖動原因並設計數據化管控方式為本次調查重點。
檢測辦法 液面抖動較大機台(長晶爐1)與抖動情況正常機台(長晶爐2)分析出可能的振動原因產生點。
儀器設備 使用VMS®-PH動態品質分析儀先比較離坩鍋最靠近點振動情況。
優化程序 將液面抖動情況數據化，藉此來幫助日後晶棒生產流程品質管控。
利用VMS®-PH動態品質分析儀量測比較正常與異常的機台，將感測器安裝於適當量測點(如下圖），進行分析。我們可以從結果中了解水平與垂直向振動量測長晶爐1所測得數據皆遠大於長晶爐2，人為經驗判斷與數據結果吻合(肉眼見長晶爐1抖動較長晶爐2大)，故此量測點數據建議可做為日後判斷液面抖動情況的數據標準，可藉由此量測點的數據累積,建立液面抖動是否合乎標準的品質門檻。
左圖是量測長晶爐1的結果，明顯得到下層機構座振動遠小於磁流體水平、垂直，排除下層結構為坩鍋振動來源。右圖是量測長晶爐2的結果，下層機構座與支架振動也遠小於磁流體水平、垂直，故排除支架及下層結構為坩鍋振動來源。由長晶爐1與長晶爐2振動源調查分析收斂量測點排除下層結構量測點、排除支架量測點，故調查馬達與減速機振動情況差異。
減速機振動基本上由馬達帶動，長晶爐2馬達振動量與減速機振動量相當，長晶爐1馬達振動量明顯較大，振動經由聯軸器傳至減速機後變小，長晶爐1馬達可能為振動異常原因
頻譜驗證 頻譜分析振動傳遞率，藉由振動成分分析，可再次驗證說明磁流體上的振動成分皆來自於馬達與減速機。振動傳遞路徑為馬達 ＞ 減速機 ＞ 磁流體，若日後減速機振動大於馬達，可能為減速機異常：若日後磁流體振動大於減速機，可能為磁流體異常。（如下圖） 經由長晶爐1 與長晶爐2 量測比較，可以得知，振動來源非外部機台干擾或是下層構造因素。熔湯液面抖動主要原因為馬達振動異常過大。
建議以保養或修復馬達為減緩熔液面抖動情況的首要動作，馬達品質越好就越可以降低其他設備部件的磨損率。並可藉由VMS®-PH設備動態分析儀，以磁流體量測點建立一個液面抖動的標準門檻，將液面抖動情況數據化管理，加快日後異常排除的速度及維持產線稼動率。現階段可針對磁流體量測點建立巡檢機制，來確保液面抖動情況可受到管控。磁流體量測點建立門檻後，可做為一個長時間的自動監測點，確保晶棒生長過程中液面抖動情況有受到控制，若抖動發生亦可第一時間得知並進行調整參數，確保晶棒保有較多的可利用區域。
