『研磨』是一種微量加工的工藝方法,研磨藉助於研具與研磨劑(一種游離的磨料),在工件的被加工表面和研具之間上產生相對運動,並施以一定的壓力,從工件上去除微小的表面凸起層, 以獲得很低的表面粗糙度和很高的尺寸精度、幾何形狀精度等,在模具製造中,特別是產品外觀質量要求較高的精密壓鑄模、塑料模、汽車覆蓋件模具應用相當廣泛。
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晶圓研磨前會將特殊膜貼在研磨晶圓的背面,以確保正面IC不會受到損壞,然後開始進行研磨階段。晶圓研磨(Back Grinding)主要是將晶圓通過背面打磨使厚度控制在能接受的範圍內,拋光目的在於改善前製程所留下的微缺陷,提高晶圓平坦度,讓微粒不易附著。在研磨的過程中,晶圓片的厚薄度,也都會影響IC片最後的完成度。如:晶圓片太厚造成散熱不良,太薄又容易導致破片。加上近來12吋晶圓需求越來越高,研磨製程的難度也就更加提高。
監測目的:
研磨及拋光製程決定晶圓最終厚度及表面粗糙度,製程中振動訊號過大,同樣會造成晶圓平整度不佳、表面粗糙度不佳、倒角異常、邊拋異常等結果,藉由機台監測,提早檢知機械問題。若有發現產品異常,亦可以回溯量測數據來釐清異常原因。
量測研磨流程中,垂直晶圓表面的動態振動變化,用以確認:
1.每一個下轉台與上方Spindle結合產生的動態訊號一致
2.研磨流程垂直振動動態變化(晶圓受力變化)
主軸轉速品質-機台
主軸動態分析-機台
異常研磨流程動態訊號-機台+產品
研磨流程動態訊號比較-機台+產品
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